整流二极管是电源电路或任何需要对信号进行调节的电路的中心部件。在这些应用中，通常使用以下两个二极管系列中的一个：PN结二极管和肖特基二极管。这些技术在电路设计中得到广泛应用并构成大多数集成电路制造工艺的基础。肖特基二极管首先在 1926 年使用，接着在 1940 年出现了PN结二极管。在此，我们将讨论整流器技术领域的一项开辟新天地的创新，它将这两种传统器件的优点融汇在一起并将它们集成在一个部件内。

今日的整流器件早已非 20 世纪初期的那些器件所能企及，但是仍然受到物理上的限制，以至无法在某些应用领域内使用，而在能够使用的地方也受到许多限制。这些产品常常只能满足设计上的部分要求，在对某一特定技术的能力进行设计时，为了弥补参数的不足，不得不妥协折衷一些重要的设计内容。

下表列出了一些典型的参数比较： 

从上表中可以看出，在PN结二极管和肖特基二极管之间，重要的工作特性是互补的。这是由这两种器件工作方式的基础物理学所决定的。 

迄今这两个系列中仍没有任何器件能够提供令人满意的相关参数。现在，一种新的超级势垒结构将令这一情况将发生变化。

来自 VCHIP半导体公司的超级势垒整流器。采用8寸晶圆，最先进的MOS芯片处理技术使设计和生产一种新的器件成为可能，它能够将现有的两种整流器技术集成在一个器件内并兼得和改进两者的优点，从而产生了二十多年来整流器技术的第一次实质性突破。该技术在设计上已实现了一些关键的目标： 

· 极低的导通损耗（Vf）（即使是高压器件，工作在大电流情况下） 

· 低的漏电流（即使是较大电流的器件，工作在高温情况下） 

· 动态器件操作，允许使用单个部件进行宽带工作 

· 采用了精确的现代化MOS生产流程，提高了器件的稳定性。

· 由于没有肖特基结，所以抗浪涌能力极强 

· 设计的通用性使得整个产品系列受益于此技术，并使得高压器件能够实现超低的 Vf 参数 

· 最佳的重复雪崩能力补偿了脆弱的肖特基反向特性的不足，从而提供了极高的可靠性 

· 采用8寸晶圆，密集的参数分布减少了批次产品的差异，一致度高，改善了设计上妥协和折衷 ，

· 为最终用户提供了更为经济的设计降低成本。

VCHIP半导体公司将所有这些所期望的功能集中在一个部件内，通过提高功率调节电路的效率提高子系统设计的价值，并通过将过去无法在一个部件内兼容的多项特性集成在单一部件内，使以前无法实现的系统开发与集成成为可能。